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NUS2045MN, NUS3045MN
P?CHANNEL MOSFET
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Drain to Source On Resistance
R DS(on)
m W
V GS = ?4.5 V, I D = 600 mA
V GS = ?4.5 V, I D = 1.0 A
V GS = ?4.5 V, I D = 600 mA
V GS = ?4.5 V, I D = 1.0 A
NUS2045MN
NUS2045MN
NUS3045MN
NUS3045MN
71
71
66
66
95
95
110
110
Zero Gate Voltage Drain Current
V GS = 0 V, V DS = ?16 V
V GS = 0 V, V DS = ?24 V
Turn On Delay (Note 4)
V GS = ?4.5 V
V GS = ?4.5 V
Turn Off Delay (Note 4)
V GS = ?4.5 V
V GS = ?4.5 V
Input Capacitance (Note 3)
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz, V DS = ?10 V
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz, V DS = ?15 V
Gate to Source Leakage Current
V GS = ± 8.0 V, V DS = 0 V
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
Drain to Source Breakdown Voltage
V GS = 0 V, I D = ?250 m A
Gate Threshold Voltage
NUS2045MN
NUS3045MN
NUS2045MN
NUS3045MN
NUS2045MN
NUS3045MN
NUS2045MN
NUS3045MN
NUS2045MN
NUS3045MN
NUS2045MN
NUS3045MN
I DSS
t on
t off
C in
I GSS
V (BR)DSS
V (GS)th
20
30
7.5
11
30.2
28
675
750
± 10
± 10
?1.0
?1.0
m A
ns
ns
pF
nA
V
V
V GS = V DS , I D = ?250 m A
NUS2045MN
NUS3045MN
?1.2
?3.0
?0.4
?1.0
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
http://onsemi.com
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